Компания IXYS, входящая в состав корпорации Littelfuse, объявила о выпуске новейших MOSFET транзисторов X3-Class Ultra Junction MOSFET, обладающих сверхнизким сопротивлением канала от 4.6 мили Ом и малым зарядом затвора от 22 нано Кулон. При проектировании нового семейства X3-Class MOSFET был использован принцип компенсации объемного заряда затвора, позволивший добиться выдающихся характеристик, пригодных одновременно для жестких и мягких режимов коммутации.
Подобно остальным продуктам из семейства Ultra Junction MOSFET, X3-Class обладают лучшим в отрасли соотношением сопротивления в открытом состоянии к заряду затвора, что позволяет предложить продукты с сопротивлением канала от 5.5 милиОм в корпусе TO-264 и 4.6 милиОм в корпусе SOT-227 для увеличения удельной мощности силовых преобразователей. Наличие встроенного быстродействующего диода позволяет новым транзисторам безопасно работать с высокими частотами коммутации, при этом структура самих X3-Class MOSFET обеспечивает dv/dt до 20В/мкС и совместима с лавинным режимом работы.
Потенциальные области применения новейших X3-Class MOSFET- источники питания для телекоммуникаций, синхронные выпрямители, низковольтный электропривод 48-110В, мощные усилители класса D и DC/DC преобразователи.
Подробная информация- на официальном сайте IXYS