Новые радиочастотные MOSFET в корпусе SMPD

Компания IXYS, мировой лидер в производстве силовых полупроводников и микросхем смешанного сигнала, объявила о начале выпуска быстродействующих MOSFET в изолированном корпусе SMPD. Новый корпус  SMPD обеспечивает преимущества в виде компактности, малого веса и возможности автоматизированного монтажа на печатную плату.

Первые серийные продукты в SMPD:  IXRFSM12N100 на напряжение 1000 Вольт 12 Ампер и IXRFSM18N50 500 Вольт 19 Ампер.

Преимущества SMPD корпуса:

  • изолированный корпус (более 2500 В)
  • высокая теплопроводность
  • расширенные возможности по термоциклированию
  • низкий заряд и малая емкость затвора:
    • простота управления
    • более высокие частоты переключения
  • малое сопротивление в открытом состоянии Rdson
  • малая вносимая индуктивность (менее 2 нГ)
  • отсутствие оксида бериллия и иных опасных материалов

Потенциальные области применения новых MOSFET:  импульсные и резонансные источники питания, драйверы лазерных диодов, импульсные генераторы, высокочастотные усилители мощности.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *