Новые Ultra- Junction MOSFET с напряжением 300В

Компания IXYS, входящая в состав корпорации Littelfuse, объявила о выпуске новейших MOSFET транзисторов X3-Class Ultra Junction MOSFET, обладающих сверхнизким сопротивлением канала от 4.6 мили Ом и малым зарядом затвора от 22  нано Кулон. При проектировании нового семейства X3-Class MOSFET был использован принцип компенсации объемного заряда затвора, позволивший добиться выдающихся характеристик, пригодных одновременно для жестких и мягких режимов коммутации.

Читать далее «Новые Ultra- Junction MOSFET с напряжением 300В»

Важно: изменение характеристик оптореле в корпусе SOP-4

Компания IXYS IC изменила материал смолы корпуса ряда оптореле с целью исключить применение галогенов и улучшить таким образом экологические свойства выпускаемых продуктов. Читать далее «Важно: изменение характеристик оптореле в корпусе SOP-4»

Новые быстродействующие диоды IXYS UK Westcode для снабберных приложений

Компания IXYS UK Westcode объявила о начале выпуска новых быстродействующих диодов с высокой устойчивостью к di/dt для применения в качестве снабберов. Данные диоды являются развитием семейства быстродействующих диодов Sonic HP с плавной характеристикой восстановления. Новые диоды имеют номинальный ток 460 Ампер и разработаны для совместного применения с новейшими Press-Pack IGBT IXYS UK. Читать далее «Новые быстродействующие диоды IXYS UK Westcode для снабберных приложений»

CPC1705Y новое твердотельное реле 60В 3.25Ампер

Компания IXYS IC объявила о начале производства нового твердотельного реле CPC1705Y нормально-замкнутой конфигурации на напряжение 60 Вольт и ток 3.25 Ампер. Реле предназначено для коммутации постоянного тока , при этом CPC1705Y выполнено в силовом корпусе SIP и обеспечивает напряжение изоляции 2500 Вольт RMS.  Читать далее «CPC1705Y новое твердотельное реле 60В 3.25Ампер»

Новые быстродействующие тиристоры на 2200В

Компания IXYS UK Westcode, анонсировала выпуск новых тиристоров прижимной конструкции на напряжение 2.2кВ. Новые быстродействующие тиристоры имеют время закрытия от 25 мкс при токе 1605 Ампер и симметричном блокирующем напряжении 2200В. Тиристоры выполнены в герметичном керамическом корпусе с диаметром электрода 50мм. При этом, площадь используемого кристалла в новом изделии увеличена, за счет чего электрические характеристики улучшены более чем на 25%. Новые тиристоры обеспечивают di/dt до 1000А/мкс, что позволяет использовать их на частотах вплоть до 10 кГц.

В настоящее время выпущены следующие версии тиристоров на напряжение 2000В: R1605MC20E   и tq=25 мкс; R1605MC20F tq=30 мкс; R1605MC20G tq=35 мкс; R1605MC20H tq=40 мкс и R1605MC20J tq=50 мкс. Также доступны версии на напряжение 2200В: R1605MC22E tq 25мкс, R1605MC22F tq 30мкс, R1605MC22G tq 35мкс,
R1605MC22H tq 40мкс и R1605MC22J tq 50мкс.

Типовые области применения новых тиристоров- индукционый нагрев, закалка поверхности, нагрев заготовок, атакже импульсные источники питания для лазеров и физических экспериментов.

 

 

 

Новые радиочастотные MOSFET в корпусе SMPD

Компания IXYS, мировой лидер в производстве силовых полупроводников и микросхем смешанного сигнала, объявила о начале выпуска быстродействующих MOSFET в изолированном корпусе SMPD. Новый корпус  SMPD обеспечивает преимущества в виде компактности, малого веса и возможности автоматизированного монтажа на печатную плату.

Первые серийные продукты в SMPD:  IXRFSM12N100 на напряжение 1000 Вольт 12 Ампер и IXRFSM18N50 500 Вольт 19 Ампер.

Преимущества SMPD корпуса:

  • изолированный корпус (более 2500 В)
  • высокая теплопроводность
  • расширенные возможности по термоциклированию
  • низкий заряд и малая емкость затвора:
    • простота управления
    • более высокие частоты переключения
  • малое сопротивление в открытом состоянии Rdson
  • малая вносимая индуктивность (менее 2 нГ)
  • отсутствие оксида бериллия и иных опасных материалов

Потенциальные области применения новых MOSFET:  импульсные и резонансные источники питания, драйверы лазерных диодов, импульсные генераторы, высокочастотные усилители мощности.

Новые быстродействующие тиристоры прижимной конструкции

Компания IXYS UK объявила о начале серийного производства тиристоров R3115TJ24J, R3115TJ24K и R3115TJ28J, R3115TJ28K на напряжение 2400 Вольт и 2800 Вольт соответственно.
Благодаря применению новейшей технологии «сухой» посадки кристалла, удалось существенно снизить тепловое сопротивление нового прибора и получить более высокие значения тока коммутации, по сравнению с предыдущим поколением. Новые быстродействующие тиристоры выполнены в герметичном керамическом корпусе диаметром 112 мм (диаметр электрода 75 мм) и толщиной 26 мм.
Тиристоры обеспечивают ток 3115 Ампер при температуре 55С, при этом значение параметра tq составляет 50 мкс (суффикс J) либо 60 мкс (суффикс K).
Новые изделия обеспечивают высокие значение скорости тока коммутации до 1000 Ампер/мкс и ориентированы на применение в высокочастотных приложениях до 5 кГц.
Типовые области применения- индукционный нагрев, закалка поверхности, а также различные преобразователи напряжения и тока для промышленности.